动态随机存取存储器（DRAM）制造商长鑫科技星期天（9月20日）宣布，第五代技术平台正式量产。这项进展有望增强中国在全球存储芯片市场与三星电子、SK海力士和美光科技竞争的实力。

综合澎湃新闻和路透社报道，长鑫科技星期天在2026世界制造业大会上，宣布第五代技术平台正式量产。

据介绍，长鑫科技将内存阵列有源区半间距做到11.95纳米，存储器电容深宽比45:1，核心动能区高度降至6762纳米。

同时，第五代工艺平台的存储密度有了大幅提升，同等条件下，每张芯片圆的产出，与上一代平台相比提升了50%以上。基于该平台打造的24GB LPDDR5X产品已经进入正式量产，全面进入中国国产主流旗舰手机。

长鑫科技称，公司利用计算机模拟技术，并与芯片设备制造商在关键生产环节展开合作，开发这一平台。

长鑫科技副总裁兼市场中心负责人骆晓东在大会上说：“我们的工艺能力目前已与业界最先进的量产节点相当。”

这一进展正值北京寻求减少对外国半导体技术的依赖之际。自2022年以来，美国实施的出口管制已限制中国获取部分先进芯片制造设备及相关软件。

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